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IRFBC40L、IRFBC40LPBF、IRFSL11N50APBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBC40L IRFBC40LPBF IRFSL11N50APBF

描述 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262MOSFET N-CH 500V 11A TO-262

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

耗散功率 3.1W (Ta), 130W (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) 190W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 500 V

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1426pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 3.1 W 190 W

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 130W (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) 190W (Tc)

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.65 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free