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AD712JR、AD712JRZ、TLE2082ACDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD712JR AD712JRZ TLE2082ACDR

描述 双路精密,低成本,高速, BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Cost, High Speed, BiFET Op AmpANALOG DEVICES  AD712JRZ  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 16 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 5 mA 5 mA 3.1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入电容 5.50 pF 5.50 pF -

带宽 4.00 MHz 3 MHz 9.40 MHz

转换速率 20.0 µV/μs 16.0 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 4.00 MHz 3 MHz 9.4 MHz

输入阻抗 3.00 TΩ 3.00 TΩ -

输入补偿电压 300 µV 300 µV 4 mV

输入偏置电流 25 pA 25 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 40 ℃

3dB带宽 4 MHz 4 MHz -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(DC) - 15.0 V -

针脚数 - 8 -

耗散功率 - - 725 mW

输入补偿漂移 - - 2.40 µV/K

耗散功率(Max) - - 725 mW

电源电压(Max) - - 38 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.91 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

军工级 Yes Yes -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -