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BDW93C、BDW93CTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDW93C BDW93CTU

描述 STMICROELECTRONICS  BDW93C  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 12 A, 20000 hFENPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V

额定电流 12.0 A 12.0 A

额定功率 - 80 W

极性 NPN NPN

耗散功率 80 W 80000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 12A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @5A, 3V 750 @5A, 3V

额定功率(Max) 80 W 80 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 80000 mW 80 W

针脚数 3 -

直流电流增益(hFE) 20000 -

长度 10.4 mm 9.9 mm

宽度 4.6 mm 4.5 mm

高度 9.15 mm 15.95 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99