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BDW93CTU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
BDW93CTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 12.0 A

额定功率 80 W

极性 NPN

耗散功率 80000 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 750 @5A, 3V

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BDW93CTU引脚图与封装图
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在线购买BDW93CTU
型号 制造商 描述 购买
BDW93CTU Fairchild 飞兆/仙童 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号BDW93CTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BDW93CTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 100V 12A 80000mW

当前型号

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: BDW93CFTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 100V 12A 30000mW

类似代替

达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil

BDW93CTU和BDW93CFTU的区别

型号: BDW93C

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 NPN 100V 12A 80000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  BDW93C  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 12 A, 20000 hFE

BDW93CTU和BDW93C的区别