额定电压DC 100 V
额定电流 12.0 A
额定功率 80 W
极性 NPN
耗散功率 80000 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 750 @5A, 3V
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 80 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 9.9 mm
宽度 4.5 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BDW93CTU | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BDW93CTU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 NPN 100V 12A 80000mW | 当前型号 | NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 | |
型号: BDW93CFTU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220 NPN 100V 12A 30000mW | 类似代替 | 达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil | BDW93CTU和BDW93CFTU的区别 | |
型号: BDW93C 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 NPN 100V 12A 80000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BDW93C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 12 A, 20000 hFE | BDW93CTU和BDW93C的区别 |