IXGT15N120BD1、IXGT15N120CD1、APT15GN120SDQ1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXGT15N120BD1 IXGT15N120CD1 APT15GN120SDQ1G

描述 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-268AATrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-268AA高速PT IGBT High Speed PT IGBT

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 150000 mW 195000 mW

耗散功率 150000 mW 150000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -

反向恢复时间 40 ns 40 ns -

额定功率(Max) 150 W 150 W -

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268

长度 - 16.05 mm -

宽度 - 14 mm -

高度 5.1 mm 5.1 mm -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -