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MMBT3904、MMBT3904WT1G、SMMBT3904LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3904 MMBT3904WT1G SMMBT3904LT3G

描述 通用放大器晶体管表面贴装 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNTON SEMICONDUCTOR  MMBT3904WT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 150 mW, 200 mA, 300 hFE通用晶体管 General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

频率 - 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 200 mA 8.60 A -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 150 mW 300 mW

增益频宽积 - 300 MHz 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW 150 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 300 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.24 mm -

高度 0.93 mm 0.85 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -