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UCC27424DR、UCC37324DG4、UCC27424D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UCC27424DR UCC37324DG4 UCC27424D

描述 双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET DriversTEXAS INSTRUMENTS  UCC27424D  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.00V (min) - 4.00V (min)

上升/下降时间 20ns, 15ns 20ns, 15ns 20ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - - 330 mV

输出电流 - - 4 A

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

耗散功率 0.65 W 1.14 W 650 mW

上升时间 40 ns 40 ns 40 ns

输出电压(Max) - - 450 mV

下降时间 40 ns 40 ns 40 ns

下降时间(Max) 40 ns 40 ns 40 ns

上升时间(Max) 40 ns 40 ns 40 ns

工作温度(Max) 105 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 650 mW 1140 mW 650 mW

电源电压 4V ~ 15V 4.5V ~ 15V 4V ~ 15V

电源电压(Max) 15 V - 15 V

电源电压(Min) 4 V - 4 V

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99