NVB5860NLT4G、NVB5860NT4G、FDB024N06对比区别

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型号 NVB5860NLT4G NVB5860NT4G FDB024N06

描述 N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

漏源极电阻 - 3 mΩ 0.0018 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 283 W 283W (Tc) 395 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V -

连续漏极电流(Ids) 220A 220A 265A

上升时间 58 ns 117 ns -

输入电容(Ciss) 13216pF @25V(Vds) 10760pF @25V(Vds) 14885pF @25V(Vds)

下降时间 144 ns 150 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 283W (Tc) 283W (Tc) 395W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3.5 V

额定功率(Max) - - 395 W

通道数 1 - -

长度 10.29 mm 10.29 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15