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FDB024N06
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and renewable system.

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Fast switching speed
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Low gate charge
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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High power and current handling capability
FDB024N06中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 395 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 265A

输入电容Ciss 14885pF @25VVds

额定功率Max 395 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 395W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDB024N06引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDB024N06 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存
替代型号FDB024N06
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDB024N06

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: D2PAK N-Channel 60V 265A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 V

当前型号

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封装: REEL N-Channel 60V 295A

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型号: IRFS7530PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 295A

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FDB024N06和IRFS7530PBF的区别