2SC3357、MRF8372、MRF559对比区别

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型号 2SC3357 MRF8372 MRF559

描述 NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 4

封装 - SO-8 Macro-X

耗散功率 - 2200 mW 2000 mW

输出功率 - 0.75 W 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) - 16 V 16 V

增益 - 8dB ~ 9.5dB 9.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 5V 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) - 2.2 W 2 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2200 mW 2000 mW

高度 - 1.5 mm 2.54 mm

封装 - SO-8 Macro-X

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free