MRF559

Microsemi(美高森美) 分立器件

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

RF NPN 16V 150mA 870MHz 2W 表面贴装型 Macro-X

得捷:
RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X

艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.15A 4-Pin Macro-X

MRF559中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2000 mW

输出功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 16 V

增益 9.5 dB

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 Macro-X

外形尺寸

高度 2.54 mm

封装 Macro-X

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF559引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
MRF559	Microsemi 美高森美	射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	搜索库存

替代型号MRF559

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MRF559 品牌： Microsemi 美高森美封装： 2000mW	当前型号	射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	当前型号
型号： BFG35,115 品牌：恩智浦封装： SOT-223 NPN 1000mW	功能相似	NXP BFG35,115 晶体管双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE	MRF559和BFG35,115的区别
型号： BFQ18A,115 品牌：恩智浦封装： TO-243AA NPN 1000mW	功能相似	BFQ18A 系列 18 V 1 W 4 GHz 表面贴装 NPN 宽带晶体管 - SOT-89	MRF559和BFQ18A,115的区别
型号： NTE278 品牌： NTE Electronics 封装： TO-39 NPN 2500mW	功能相似	NTE ELECTRONICS NTE278. 射频晶体管, NPN, 20V, 1.2GHZ	MRF559和NTE278的区别