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OPA699ID、OPA699IDR、HFA1113IBZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA699ID OPA699IDR HFA1113IBZ

描述 OPA 系列,Texas Instruments### 运算放大器,Texas Instruments高速运算放大器 Wideband High Gain Vltg Limiting为850MHz ,低失真,输出限制,可编程增益缓冲放大器 850MHz, Low Distortion, Output Limiting, Programmable Gain, Buffer Amplifier

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00V (min) 5.00V (min) -

输出电流 70mA @5V 70mA @5V 60.0 mA

供电电流 15.5 mA 15.5 mA 21 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - -

共模抑制比 54 dB 54 dB -

输入补偿漂移 15.0 µV/K 15.0 µV/K -

带宽 1 GHz 260 MHz -

转换速率 1.40 kV/μs 1.40 kV/μs 1.90 kV/μs

增益频宽积 880 MHz 880 MHz -

输入补偿电压 1.5 mV 1.5 mV 8 mV

输入偏置电流 3 µA 3 µA 25 µA

可用通道 S S -

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -

3dB带宽 260 MHz 260 MHz 850 MHz

增益带宽 880 MHz 1 GHz -

共模抑制比(Min) 54 dB 54 dB -

电源电压 5V ~ 12V - -

电源电压(Max) 12 V 12 V -

电源电压(Min) 5 V 5 V -

耗散功率 - 174.4 mW -

过温保护 - - No

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -