LND150N3-G、LND150N3-G-P003、LND150N3-G-P014对比区别

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型号 LND150N3-G LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P014

描述 Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管，MicrochipTrans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

额定功率 0.74 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 850 Ω 1000 Ω 1000 Ω

极性 N-Channel - -

耗散功率 740 mW 740 mW 740 mW

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 0.03A - -

上升时间 450 ns 450 ns 450 ns

输入电容(Ciss) 7.5pF @25V(Vds) 10pF @25V(Vds) 10pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 740 mW 740 mW -

下降时间 1300 ns 1300 ns 1300 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 740 mW 740mW (Ta) 740mW (Ta)

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

长度 5.2 mm 5.21 mm 5.21 mm

宽度 0.165 in 4.19 mm 4.19 mm

高度 0.21 in 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -