LND150N3-G-P014
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
LND150N3-G-P014中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1000 Ω
耗散功率 740 mW
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 450 ns
输入电容Ciss 10pF @25VVds
下降时间 1300 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 740mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Ammo Pack
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
LND150N3-G-P014引脚图与封装图 
LND150N3-G-P014引脚图
LND150N3-G-P014封装图
LND150N3-G-P014封装焊盘图
在线购买LND150N3-G-P014
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LND150N3-G-P014 | Microchip 微芯 | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号LND150N3-G-P014
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LND150N3-G-P014 品牌： Microchip 微芯 封装： TO-92-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： LND150N3-G 品牌： 微芯 封装： TO-92 N-Channel 500V 0.03A | 功能相似 | Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip | LND150N3-G-P014和LND150N3-G的区别 |