锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF7451PBF、IRF7815PBF、IRF7451对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7451PBF IRF7815PBF IRF7451

描述 SOIC N-CH 150V 3.6AINFINEON  IRF7815PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 VSOIC N-CH 150V 3.6A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定功率 2.5 W 2.5 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.034 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5W (Ta)

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 3.6A 5.1A 3.6A

上升时间 4.2 ns 3.2 ns -

输入电容(Ciss) 990pF @25V(Vds) 1647pF @75V(Vds) 990pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns 8.3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -