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IRF7451PBF

IRF7451PBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 150V 3.6A

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Industry-leading quality
.
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
.
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
.
Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

得捷:
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8; HEXFET®


IRF7451PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.5 W

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 3.6A

上升时间 4.2 ns

输入电容Ciss 990pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7451PBF引脚图与封装图
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IRF7451PBF Infineon 英飞凌 SOIC N-CH 150V 3.6A 搜索库存
替代型号IRF7451PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7451PBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOIC N-CH 150V 3.6A

当前型号

SOIC N-CH 150V 3.6A

当前型号

型号: IRF7451TR

品牌: 英飞凌

封装: SOIC N-CH 150V 3.6A

完全替代

SOIC N-CH 150V 3.6A

IRF7451PBF和IRF7451TR的区别

型号: IRF7451TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 150V 3.6A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 150 V, 0.09 ohm, 10 V, 5.5 V

IRF7451PBF和IRF7451TRPBF的区别

型号: IRF7815PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 150V 5.1A

类似代替

INFINEON  IRF7815PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V

IRF7451PBF和IRF7815PBF的区别