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TLV2254AQDR、TLV2254AQDREP、TLV2254AQD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2254AQDR TLV2254AQDREP TLV2254AQD

描述 高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS中晚期原发性肝癌LinCMOSâ ?? ¢ RAIL- TO -RAIL极低功耗OPERATIOPNAL放大器 Advanved LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIOPNAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗运算放大器 ADVANCED LINCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

供电电流 140 µA 140 µA 140 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

耗散功率 - 0.95 W 950 mW

共模抑制比 - 70 dB -

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K

带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz

转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 200 kHz 200 kHz 200 kHz

输入补偿电压 200 µV 0.85 mV 200 µV

输入偏置电流 1 pA 0.06 nA 1 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 200 kHz 0.2 MHz 0.2 MHz

长度 - 8.65 mm 8.65 mm

宽度 - 3.91 mm 3.9 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead