DMN3730UFB-7、PMZB420UN、PMZB370UNE对比区别

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型号 DMN3730UFB-7 PMZB420UN PMZB370UNE

描述 30V,750mA,N沟道增强型MOSFETDFN N-CH 30V 0.9ANXP  PMZB370UNE  晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 770 mV

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 DFN-3 SOT-883 SOT-883

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 - - 3

漏源极电阻 0.46 Ω 0.42 Ω 0.37 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 470 mW 360 mW 360 mW

阈值电压 450 mV 700 mV 770 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 0.91A 0.9A 0.9A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

上升时间 2.8 ns - -

输入电容(Ciss) 64.3pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 470 mW - -

下降时间 13 ns - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 470mW (Ta) - -

封装 DFN-3 SOT-883 SOT-883

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -