FDMC8882、FDMC8884、FDMC8878对比区别

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型号 FDMC8882 FDMC8884 FDMC8878

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8882  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0124 ohm, 10 V, 1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.9 VON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8878, 9.6 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 MLP-8 MLP-8 DFN-8

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0124 Ω 0.016 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 18 W 18 W 2.1 W

阈值电压 1.9 V 1.9 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 10.5A 9A -

上升时间 3 ns 2 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 945pF @15V(Vds) 685pF @15V(Vds) 925pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W 2.1 W

下降时间 2 ns 2 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.1 W

输入电容 - - 1000 pF

长度 3.3 mm 3.3 mm 3 mm

宽度 3.3 mm 3.3 mm 3 mm

高度 0.73 mm 0.725 mm 0.95 mm

封装 MLP-8 MLP-8 DFN-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -