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FDMC8884
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.9 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A, Semiconductor

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDMC8884中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 18 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 685pF @15VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3W Ta, 18W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MLP-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.725 mm

封装 MLP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMC8884引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMC8884 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.9 V 搜索库存
替代型号FDMC8884
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDMC8884

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: MLP N-Channel 30V 9A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.9 V

当前型号

型号: FDMC8882

品牌: 飞兆/仙童

封装: MLP N-Channel 30V 10.5A

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8882  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0124 ohm, 10 V, 1.9 V

FDMC8884和FDMC8882的区别

型号: FDMC8884_F126

品牌: 飞兆/仙童

封装: MLP-8

类似代替

Trans Mosfet n-Ch 30V 9A 8Pin Power 33 t/r

FDMC8884和FDMC8884_F126的区别

型号: FDMC8878

品牌: 飞兆/仙童

封装: 8-PowerWDFN N-Channel 30V 9.6A 1.23nF

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FDMC8878 系列 30 V 14 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 33

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