IXTH40N50L2、IXTT40N50L2、APT5017BVRG对比区别
型号 IXTH40N50L2 IXTT40N50L2 APT5017BVRG
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTH40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTT40N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 VTO-247 N-CH 500V 30A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 170 mΩ 170 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 540 W 540 W 370 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) - 40A 30.0 A
上升时间 133 ns 133 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 10400pF @25V(Vds) 10400 pF 4400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 540 W -
下降时间 44 ns 44 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) 370000 mW
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 30.0 A
输入电容 - - 5.28 nF
栅电荷 - - 300 nC
长度 - 14 mm -
宽度 - 16.05 mm -
高度 - 5.1 mm -
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -