APT5017BVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT5017BVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 30.0 A
极性 N-CH
耗散功率 370 W
输入电容 5.28 nF
栅电荷 300 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT5017BVRG引脚图与封装图
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在线购买APT5017BVRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT5017BVRG | Microsemi 美高森美 | TO-247 N-CH 500V 30A | 搜索库存 |
替代型号APT5017BVRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT5017BVRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 500V 30A 5.28nF | 当前型号 | TO-247 N-CH 500V 30A | 当前型号 |
| 型号： STW26NM50 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 30A 120mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V | APT5017BVRG和STW26NM50的区别 |
| 型号： IXFH30N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 30A 200mΩ 4.15nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH30N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 V | APT5017BVRG和IXFH30N50P的区别 |