IPB60R950C6、IPP60R950C6、IPD60R950C6对比区别
型号 IPB60R950C6 IPP60R950C6 IPD60R950C6
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 950 mΩ 0.86 Ω 860 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 37 W 37 W 37 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 4.4A 4.4A 4.4A
上升时间 8 nS 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds)
下降时间 13 nS 13 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 37W (Tc) 37W (Tc) 37W (Tc)
额定功率(Max) - 37 W 37 W
阈值电压 - - 2.5 V
长度 10 mm 10.36 mm 6.5 mm
宽度 9.25 mm 4.57 mm 6.22 mm
高度 4.4 mm 15.95 mm 2.3 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 -