F101、IRF1010E、IRF1010EPBF对比区别

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型号 F101 IRF1010E IRF1010EPBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3TO-220AB N-CH 60V 84AINFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-220 TO-220-3

额定功率 - - 170 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 12.0 mΩ 0.012 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 170 W 170 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 3210pF @25V

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 84.0 A 84A

上升时间 - 78 ns 78 ns

输入电容(Ciss) - - 3210pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 200 W

下降时间 - 53 ns 53 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 200W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 84.0 A -

产品系列 - IRF1010E -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - - 10.54 mm

宽度 - - 4.69 mm

高度 - - 8.77 mm

封装 - TO-220 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free