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ONET2511TAY、ONET9901TAY、ONET4291TAYS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ONET2511TAY ONET9901TAY ONET4291TAYS

描述 2.5Gbps的跨导,带有RSSI放大器 2.5 GBPS TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER WITH RSSI10.7 Gbps的阻放大器,带有RSSI 10.7-GBPS TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER WITH RSSI跨阻抗放大器 WAFER SALE VERIFY YIELD QTY

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 - -

封装 Die DIE Wafersale

电源电压(DC) 3.30 V 3.30 V 3.30 V

供电电流 25 mA 30 mA -

电路数 1 1 -

输入电流(Min) 2 mA - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

3dB带宽 2.5 GHz 11.2 GHz 2.8 GHz

增益带宽 2.5 GHz - -

电源电压 3.3 V - -

输出电流 - - ≤8 mA

通道数 - - 1

带宽 - 11.2 GHz 2.8 GHz

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.9 V

封装 Die DIE Wafersale

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -