FQPF3N50C、FQPF4N50、IRFS820B对比区别

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型号 FQPF3N50C FQPF4N50 IRFS820B

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

漏源极电阻 2.50 Ω 2.7 Ω 2.60 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 35 W 33.0 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 2.30 A 2.50 A

上升时间 25 ns 45 ns -

输入电容(Ciss) 365pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 25 W - -

下降时间 25 ns 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 25W (Tc) 35W (Tc) -

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 2.30 A -

通道数 - 1 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 4.7 mm 4.7 mm -

高度 16.3 mm 16.3 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -