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FZT649、FZT649TA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT649 FZT649TA

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FZT649  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFEFZT649TA 编带

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 4 -

极性 N-Channel, NPN NPN

耗散功率 2 W 3 W

直流电流增益(hFE) 15 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

频率 150 MHz 240 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V

额定电流 3.00 A 3.00 A

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 2V 100 @1A, 2V

额定功率(Max) 2 W 2 W

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 3000 mW

集电极最大允许电流 - 3A

封装 TO-261-4 TO-261-4

长度 6.7 mm -

宽度 3.7 mm -

高度 1.7 mm -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC -

军工级 - -

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

ECCN代码 EAR99 EAR99