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FZT649
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FZT649  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 600mV/0.6V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和 高电流增益

FZT649中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 3.00 A

针脚数 4

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 15

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FZT649引脚图与封装图
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在线购买FZT649
型号 制造商 描述 购买
FZT649 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FZT649  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE 搜索库存
替代型号FZT649
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FZT649

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-223 N-Channel 25V 3A 2000mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FZT649  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE

当前型号

型号: FZT649TA

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