
频率 150 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 4
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FZT649 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FZT649 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FZT649 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-223 N-Channel 25V 3A 2000mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FZT649 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE | 当前型号 | |
型号: FZT649TA 品牌: 美台 封装: SOT-223 NPN 25V 3A 3000mW | 功能相似 | FZT649TA 编带 | FZT649和FZT649TA的区别 | |
型号: FZT649TC 品牌: 美台 封装: SOT-223 25V 3A 2000mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 25V 3A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | FZT649和FZT649TC的区别 |