IPD800N06NG、IPD800N06NGBTMA1、IPD350N06LG对比区别

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型号 IPD800N06NG IPD800N06NGBTMA1 IPD350N06LG

描述 60V,16A,N沟道功率MOSFETDPAK N-CH 60V 16A60V,47mΩ,29A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

极性 - N-CH -

耗散功率 - 47000 mW 68 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16A -

上升时间 - 38 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 370pF @30V(Vds) 370pF @30V(Vds) 600pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 47 W 47 W -

下降时间 - 27 ns 20 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 47W (Tc) 68000 mW

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 16.0 A - -

输入电容 370 pF - -

栅电荷 10.0 nC - -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free