STGP19NC60S、STGP19NC60SD对比区别

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型号 STGP19NC60S STGP19NC60SD

描述 N沟道600V - 20A - TO- 220中频的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 20A - TO-220 Medium frequency PowerMESH IGBTTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 130000 mW 125000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 130 W 130 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 130000 mW 125000 mW

反向恢复时间 - 31 ns

封装 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)