UM5K1NTR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
UM5K1NTR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
漏源极电阻 7 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 13pF @5VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 80 ns
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 TSSOP-5
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 TSSOP-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UM5K1NTR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号UM5K1NTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UM5K1NTR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-353 Dual N-Channel 30V 100mA 7Ω | 当前型号 | 30V,,0.1A双N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： DMN32D2LDF-7 品牌： 美台 封装： SOT-353 N-CH 30V 0.4A | 功能相似 | 通用源双N沟道增强型场效应晶体管特点•通用源双N沟道MOSFET•低导通电阻•非常低的栅极阈值电压，1.2V最大•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏•小型表面贴装封装•ESD保护门•对无铅要求.. | UM5K1NTR和DMN32D2LDF-7的区别 |