L6388ED、L6388ED013TR、L6388D对比区别

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型号 L6388ED L6388ED013TR L6388D

描述 STMICROELECTRONICS  L6388ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8L6388 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 9.60V (min) - 17.0V (max)

上升/下降时间 70ns, 40ns 70ns, 40ns 70ns, 40ns

输出接口数 2 2 2

频率 0.4 MHz 0.4 MHz -

额定功率 - 0.75 W -

输出电流 - 650 mA -

供电电流 - 0.45 mA -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 - 125 Ω -

耗散功率 750 mW 0.75 W -

静态电流 - 450 µA -

上升时间 100 ns 100 ns -

输出电流(Max) 0.65 A 0.65 A -

下降时间 80 ns 80 ns -

下降时间(Max) 80 ns 80 ns -

上升时间(Max) 100 ns 100 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ -

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW -

电源电压 17 V 17 V -

电源电压(Max) 17 V 17 V -

电源电压(Min) 9.6 V 0.3 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.25 mm 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -