IPB180N04S3-02、IPB180N04S302ATMA1、IPB011N04LG对比区别

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型号 IPB180N04S3-02 IPB180N04S302ATMA1 IPB011N04LG

描述 OptiMOS® -T电源晶体管 OptiMOS®-T Power-TransistorD2PAK N-CH 40V 180AOptiMOS3功率晶体管 OptiMOS3 Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263

引脚数 - 7 7

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300 W 300 W 250 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

连续漏极电流(Ids) 180A 180A -

上升时间 19 ns 19 ns -

输入电容(Ciss) 14300pF @25V(Vds) 14300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 300 W 300 W -

下降时间 18 ns 18 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) -

通道数 - 1 -

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC