锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
IPB180N04S3-02

IPB180N04S3-02

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

OptiMOS® -T电源晶体管 OptiMOS®-T Power-Transistor

* N-channel - Enhancement mode * Automotive AEC Q101 qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green package RoHS compliant * Ultra low Rdson * 100% Avalanche tested


立创商城:
N沟道 40V 180A


贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin6+Tab TO-263


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7


IPB180N04S3-02中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 14300pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB180N04S3-02引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB180N04S3-02
型号 制造商 描述 购买
IPB180N04S3-02 Infineon 英飞凌 OptiMOS® -T电源晶体管 OptiMOS®-T Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPB180N04S3-02
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPB180N04S3-02

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO263-7 N-CH 40V 180A

当前型号

OptiMOS® -T电源晶体管 OptiMOS®-T Power-Transistor

当前型号

型号： IPB180N04S302ATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-CH 40V 180A

完全替代

D2PAK N-CH 40V 180A

IPB180N04S3-02和IPB180N04S302ATMA1的区别

型号： IPB011N04LG

品牌： 英飞凌

封装： N-Channel

功能相似

OptiMOS3功率晶体管 OptiMOS3 Power Transistor

IPB180N04S3-02和IPB011N04LG的区别