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BCP5616TA、BCP5616TC、BCP56T3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP5616TA BCP5616TC BCP56T3G

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium PowerTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RON SEMICONDUCTOR  BCP56T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4

频率 150 MHz 150 MHz 130 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

针脚数 - - 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2 W 2 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 2 W 2 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - - 25

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 1.5 W

最大电流放大倍数(hFE) 250 @150mA, 2V - -

额定功率 - 2 W -

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 3.5 mm

高度 - - 1.63 mm

封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99