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ICTE15HE3_A/C、ICTE15-E3/51、1N6377-E3/51对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE15HE3_A/C ICTE15-E3/51 1N6377-E3/51

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,15V 10% AEC-Q101 QualifiedESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 15V UnidirectDiode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201-2 DO-201AA DO-201AA

工作电压 15 V 15 V -

击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V

耗散功率 6.5 W - 1.5 kW

钳位电压 20.6 V 20.6 V 20.6 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

封装 DO-201-2 DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅