ICTE15-E3/51中文资料参数规格
技术参数
工作电压 15 V
击穿电压 17.6 V
钳位电压 20.6 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 17.6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AA
外形尺寸
封装 DO-201AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ICTE15-E3/51引脚图与封装图
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在线购买ICTE15-E3/51
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ICTE15-E3/51 | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 15V Unidirect | 搜索库存 |
替代型号ICTE15-E3/51
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ICTE15-E3/51 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-201AA | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 15V Unidirect | 当前型号 |
| 型号： 1N6377-E3/54 品牌： 威世 封装： CASE | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R | ICTE15-E3/51和1N6377-E3/54的区别 |
| 型号： 1N6377HE3_A/C 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | TVS DIODE 15V 20.6V 1.5KE | ICTE15-E3/51和1N6377HE3_A/C的区别 |
| 型号： 1N6377HE3_A/D 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Tvs Diode 15vwm 20.6vc 1.5ke | ICTE15-E3/51和1N6377HE3_A/D的区别 |
