TC58NVG2S3EBAI5、TC58NYG2S3EBAI5对比区别

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型号 TC58NVG2S3EBAI5 TC58NYG2S3EBAI5

描述 Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。IC 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, PBGA63, 10 X 13MM, 0.8MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-63, Programmable ROM

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 Flash芯片Flash芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 63

封装 TFBGA-63 BGA

供电电流 - 30 mA

位数 - 8

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V 1.8 V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 2.7 V -

高度 0.74 mm 0.7 mm

封装 TFBGA-63 BGA

长度 13 mm -

宽度 10 mm -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free