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TC58NVG2S3EBAI5

TC58NVG2S3EBAI5

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 主动器件

Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

闪存存储器,

### 快闪存储器

闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


欧时:
Toshiba TC58NVG2S3EBAI5 闪存, 4Gbit 512M x 8, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装


贸泽:
NAND闪存 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND EEPROM


艾睿:
SLC NAND Flash 3.3V 4G-bit 63-Pin TFBGA


Chip1Stop:
SLC NAND Flash 3.3V 4Gbit 63-Pin TFBGA


TC58NVG2S3EBAI5中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 63

封装 TFBGA-63

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 10 mm

高度 0.74 mm

封装 TFBGA-63

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TC58NVG2S3EBAI5引脚图与封装图
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在线购买TC58NVG2S3EBAI5
型号 制造商 描述 购买
TC58NVG2S3EBAI5 Toshiba 东芝 Toshiba ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。 搜索库存
替代型号TC58NVG2S3EBAI5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TC58NVG2S3EBAI5

品牌: Toshiba 东芝

封装: TFBGA-63

当前型号

Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

当前型号

型号: TC58NYG2S3EBAI5

品牌: 东芝

封装: VFBGA

功能相似

IC 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, PBGA63, 10 X 13MM, 0.8MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-63, Programmable ROM

TC58NVG2S3EBAI5和TC58NYG2S3EBAI5的区别