锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

APT50M50JFLL、APT50M50JLL、STE70NM50对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT50M50JFLL APT50M50JLL STE70NM50

描述 功率MOS 7 R FREDFET POWER MOS 7 R FREDFETTrans MOSFET N-CH 500V 71A 4Pin SOT-227STMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227 SOT-227-4 ISOTOP-4

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 71.0 A 71.0 A 70.0 A

耗散功率 - 595W (Tc) 600 W

输入电容 10.6 nF 10.6 nF -

栅电荷 200 nC 200 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 71.0 A 71.0 A 30.0 A

上升时间 18 ns 18 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 10550pF @25V(Vds) 10550pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 595 W 600 W

下降时间 10 ns 10 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 595000 mW 595W (Tc) 600W (Tc)

额定功率 - - 600 W

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 45 mΩ

极性 N-CH - N-Channel

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

封装 SOT-227 SOT-227-4 ISOTOP-4

长度 - - 38.2 mm

宽度 - - 25.5 mm

高度 - - 9.1 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99