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MRF8P23160WHR3、MRF8S23120HSR3、MRF6S24140HSR3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF8P23160WHR3 MRF8S23120HSR3 MRF6S24140HSR3

描述 Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2300-2400MHz, 30W Avg., 28VTrans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780S T/RCW Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2450MHz, 140W, 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 5 3 3

封装 NI-780-4 NI-780S NI-880S

频率 2.32 GHz 2.3 GHz 2.39 GHz

额定电压(DC) - - 28.0 V

额定电流 - - 10 µA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 - - N-Channel

漏源极电压(Vds) - - 68.0 V

输出功率 30 W 28 W 28 W

增益 14.1 dB 16 dB 15.2 dB

测试电流 600 mA 800 mA 1.3 A

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V 68 V

封装 NI-780-4 NI-780S NI-880S

高度 4.32 mm - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99