MRF8S23120HSR3
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
MRF8S23120HSR3中文资料参数规格
技术参数
频率 2.3 GHz
输出功率 28 W
增益 16 dB
测试电流 800 mA
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
引脚数 3
封装 NI-780S
外形尺寸
封装 NI-780S
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MRF8S23120HSR3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MRF8S23120HSR3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF8S23120HSR3 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780S T/R | 搜索库存 |
替代型号MRF8S23120HSR3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF8S23120HSR3 品牌： NXP 恩智浦 封装： NI-780S | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780S T/R | 当前型号 |
| 型号： MRF8S23120HR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-780 | 类似代替 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin Case 465M-01 T/R | MRF8S23120HSR3和MRF8S23120HR3的区别 |
| 型号： AFT23S160W02GSR3 品牌： 恩智浦 封装： SOT1802 | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780GS T/R | MRF8S23120HSR3和AFT23S160W02GSR3的区别 |
| 型号： MRF6S24140HSR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-880S N-Channel 68V | 功能相似 | CW Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2450MHz, 140W, 28V | MRF8S23120HSR3和MRF6S24140HSR3的区别 |