FQD4N25TF、FQD4N25TM对比区别

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型号 FQD4N25TF FQD4N25TM

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道 250V 3A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 250 V 250 V

额定电流 3.00 A 3.00 A

漏源极电阻 1.75 Ω 1.75 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 37W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

漏源击穿电压 250 V 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc)

通道数 - 1

上升时间 - 45 ns

下降时间 - 22 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99