FQD4N25TF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD4N25TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 1.75 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 37W Tc
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 37W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQD4N25TF引脚图与封装图
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在线购买FQD4N25TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD4N25TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD4N25TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD4N25TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 250V 3A 1.75ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD4N25TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 250V 3A 1.75ohms | 类似代替 | N沟道 250V 3A | FQD4N25TF和FQD4N25TM的区别 |