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BG3130H6327XTSA1、BG5412KH6327XTSA1、BG5120KH6327XTSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BG3130H6327XTSA1 BG5412KH6327XTSA1 BG5120KH6327XTSA1

描述 Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6Pin SOT-363 T/RTrans RF MOSFET N-CH 8V 0.02A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 SOT-363-6

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

频率 800 MHz 800 MHz 800 MHz

增益 24 dB 24 dB 23 dB

测试电流 14 mA 10 mA 10 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

额定电压 8 V 8 V 8 V

额定电流 25 mA 25 mA -

耗散功率 200 mW - -

输入电容(Ciss) 1.9pF @5V(Vds) - -

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 SOT-363-6

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.8 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -