锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
BG3130H6327XTSA1

BG3130H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装

双栅极 MOSFET 四极管

Infineon 双栅极低噪声四极管 MOSFET 射频


得捷:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363


欧时:
Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装


贸泽:
RF MOSFET Transistors RF MOSFETS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 8V 0.025A 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363


BG3130H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电流 25 mA

耗散功率 200 mW

增益 24 dB

测试电流 14 mA

输入电容Ciss 1.9pF @5VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Set Top Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BG3130H6327XTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BG3130H6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BG3130H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装 搜索库存
替代型号BG3130H6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BG3130H6327XTSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： SOT-363-6

当前型号

Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装

当前型号

型号： BG5120KH6327XTSA1

品牌： 英飞凌

封装： SOT-26

类似代替

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.02A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

BG3130H6327XTSA1和BG5120KH6327XTSA1的区别

型号： BG5412KH6327XTSA1

品牌： 英飞凌

封装： PG-SOT363-6

类似代替

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

BG3130H6327XTSA1和BG5412KH6327XTSA1的区别