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TLE2072IDG4、TLE2072IDR、TLE2072ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2072IDG4 TLE2072IDR TLE2072ID

描述 EXCALIBUR低噪声高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSEXCALIBUR低噪声高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLE2072ID  运算放大器, 双路, 9.4 MHz, 2个放大器, 35 V/µs, ± 2.25V 至 ± 19V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA ≤80 mA

供电电流 3.1 mA 3.1 mA 3.1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.40 µV/K 2.40 µV/K 2.40 µV/K

转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 10 MHz 9.4 MHz 9.4 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 20 pA 20 pA 20 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 10 MHz 10 MHz 10 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

针脚数 - - 8

带宽 9.40 MHz - 9.4 MHz

电源电压(Max) - - 19 V

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15