VI30100S-E3/4W、VI30100S-M3/4W、NTSB30100S-1G对比区别

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型号 VI30100S-E3/4W VI30100S-M3/4W NTSB30100S-1G

描述 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 ADiode Schottky 100V 30A 3Pin(3+Tab) TO-262AA Tube肖特基二极管与整流器 LVFR 30A 100V IN I2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 整流二极管功率二极管肖特基二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 4

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

正向电压 910mV @30A 910mV @30A 950mV @30A

正向电流 30 A - 30 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 250 A - 250 A

正向电压(Max) - - 950 mV

正向电流(Max) - - 30 A

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃

输出电流 ≤30.0 A - -

极性 Standard - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 10.45 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 8.89 mm - -

工作温度 40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17