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VI30100S-M3/4W

VI30100S-M3/4W

数据手册.pdf
VI30100S-M3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 910mV @30A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

VI30100S-M3/4W引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VI30100S-M3/4W Vishay Semiconductor 威世 Diode Schottky 100V 30A 3Pin3+Tab TO-262AA Tube 搜索库存
替代型号VI30100S-M3/4W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VI30100S-M3/4W

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-262AA

当前型号

Diode Schottky 100V 30A 3Pin3+Tab TO-262AA Tube

当前型号

型号: VI30100S-E3/4W

品牌: 威世

封装:

完全替代

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

VI30100S-M3/4W和VI30100S-E3/4W的区别

型号: VI30100SHM3/4W

品牌: 威世

封装: TO-262AA

完全替代

整流器 RECOMMENDED ALT 78-V35PW10HM3/I

VI30100S-M3/4W和VI30100SHM3/4W的区别

型号: VI30100SG-E3/4W

品牌: 威世

封装:

功能相似

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A

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