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FDS4935、FDS4935_NL、FDS4935BZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4935 FDS4935_NL FDS4935BZ

描述 双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFETDual 30V P-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935BZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -7.00 A - -6.90 A

漏源极电阻 23.0 mΩ - 0.018 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 2 W - 1.6 W

输入电容 1.23 nF - 1.36 nF

栅电荷 15.0 nC - 40.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7A -6.90 A

上升时间 10 ns - 13 ns

输入电容(Ciss) 1233pF @15V(Vds) - 1360pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 900 mW

下降时间 25 ns - 38 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.9 V

耗散功率(Max) - - 1600 mW

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99